محاسبه ی پذیرفتاری الکتریکی گرافن تحت اندرکنش اسپین – مدار القایی
thesis
- مجتمع آموزشی عالی بناب - دانشکده علوم پایه
- author شبنم صفری شاطری
- adviser جعفر پورصمد
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1380
abstract
ما در این پایان نامه پذیرفتاری گرافن تک لایه را محاسبه خواهیم کرد. به این صورت که ابتدا هامیلتونی گرافن تک لایه را با استفاده از روش بستگی قوی در فرم کوانتش دوم و با در نظر گرفتن ترم راشبا (یعنی با وجود اثرات اسپین-مدار القایی) محاسبه خواهیم کرد و با محاسبه ویژه حالتها و وارد کردن بر همکنش الکترون- فوتون (وجود یک میدان الکترومغناطیسی خارجی) و اضافه کردن ترم زیمن پذیرفتاری گرافن تک لایه را بدست خواهیم آورد.
similar resources
محاسبه ی پذیرفتاری الکتریکی با درنظر گرفتن اثر برهمکنش اسپین- مدار راشبا در یک سیستم دوبعدی
برهمکنش اسپین- مدار راشبا ناشی از نبود تقارن وارونی ساختاری پتانسیل محدود کننده ی الکترونها درسیستمهایی مانند دیواره های کوانتومی یا چاههای کوانتومی ناشی می شود. اهمیت برهمکنش راشبا در این است که برخلاف اثر اسپین- مدار درسلهاوس یک اثر ذاتی و معین است و می توان به وسیله ی ولتاژ گیت خارجی قدرت این برهمکنش را تغییر داد. در این رساله به بررسی جامع برهمکنش اسپین- مدار راشبا و دینامیک اسپین در حضور...
15 صفحه اولمحاسبه عددی پذیرفتاری الکتریکی
پدیده اپتیک غیرخطی در بلورها موضوع بسیار پرکاربرد و با اهمیتی است . برای استفاده بلورها به عنوان افزاینده بسامد ورودی،مثل تولید هارمونیک دوم و تفاضل فرکانس ها، لازم است بعضی از کمیت های اپتیکی مربوطه،به عنوان نمونه پذیرفتاری الکتریکی، را داشته باشیم. برای محاسبه پذیرفتاری الکتریکی غیرخطی لازم است معادلات دیفرانسیل نوسانگر غیرهارمونیک به روش های تقریبی و یا عددی حل شوند. از آنجا که محاسبات عددی ...
15 صفحه اولبررسی اثر اسپین- مدار و میدان‌های خارجی بر شفافیت القایی الکترومغناطیسی در نقاط کوانتومی مکعبی نامتقارن
در این مقاله به بررسی شفافیت القایی الکترومغناطیس در یک نقطه کوانتومی مکعبی نامتقارن در حضور اثر اسپین- مدار که تحت تأثیر همزمان میدان‌های ثابت الکتریکی و مغناطیسی خارجی قرار دارد، خواهیم پرداخت. برای بررسی شفافیت القایی الکترومغناطیسی، وابستگی ضرایب جذب و شکست محیط برای یک باریکه جستجوگر لیزری تحت برهمکنش اسپین- مدار، میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی خارجی و نیز ابعاد نقطه کوانتومی محاسبه و مطالع...
full textپذیرفتاری اسپینی گرافین تک لایه تحت بر همکنش اسپین- مدار راشبا
ساختارهای گرافین تک لایه از جمله ساختارهایی می باشند که عرضی در حد یک اتم دارا هستند و در این ضخامت و حتی در ضخامت هایی بالاتر از این حد بردار موج الکترونی در این راستا کاملا کوانتیزه بوده و بررسی دقیق این گونه از سیستم ها فقط در چارچوب مکانیک کوانتومی امکان پذیر می باشد. علاوه بر کوانتش بردار موج که مشخصه ی سیستم های نانومتری و مزوسکوپیک است. نوار انرژی گرافین نیز مشخصه ی بسیار مهمی ا...
15 صفحه اولمحاسبه پذیرفتاری الکتریکی غیرخطی در بلورهای فوتونیکی
در این پایان نامه پس از نگاهی به تاریخچه بلورهای فوتونیکی، اثرات اپتیک غیرخطی را بررسی کردیم و سپس نگاهی عمیق به درون بلورهای فوتونیکی انداختیم و فهمیدیم شکافت نواری کامل فوتونیکی برای یک شبکه مربعی چه زمانی حاصل می شود بدلیل سادگی ساختار بلور های فوتونیکی دوبعدی نسبت به بلورهی فوتونیکی سه بعدی ما شبکه های دو بعدی را در نظر گرفتیم. با در نظر گرفتن یک بلور فوتونیکی، که آنچنان ساخته شده است که د...
15 صفحه اولطراحی فرامواد گرافینی با قابلیت تنظیم خواص اپتیکی
گرافن ماده ای دو بعدی است که به واسطه قابل کنترل بودن رسانش الکتریکی آن، می تواند در طراحی فرامواد تنظیم پذیر بکار گرفته شود. در این مقاله، ساختار دو فراماده شامل آرایه ای از حلقه های شکافدار (SRR ) و ساختار مکمل حلقه ها (CSRR ) بر پایه ی گرافن را معرفی نموده و تغییرات پذیرفتاری الکتریکی موثر فراماده طراحی شده را با تغییر پتانسیل شیمیایی گرافن، تغییر ابعاد ساختار و قطبش نور فرودی بررسی می کنیم....
full textMy Resources
document type: thesis
مجتمع آموزشی عالی بناب - دانشکده علوم پایه
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023